Справочник MOSFET. NTB082N65S3F

 

NTB082N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB082N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  onsemi
 ntb082n65s3f.pdf pdf_icon

NTB082N65S3F

NTB082N65S3FPower MOSFET, NChannel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 40 A, 82 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 ntb082n65s3f.pdf pdf_icon

NTB082N65S3F

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor NTB082N65S3FDESCRIPTIONDrain-source on-resistance: RDS(on) 82m@10VDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Industrial power suppliesUPSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL AR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK514 | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.