Справочник MOSFET. NTB082N65S3F

 

NTB082N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB082N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NTB082N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  onsemi
 ntb082n65s3f.pdf pdf_icon

NTB082N65S3F

NTB082N65S3FPower MOSFET, NChannel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 40 A, 82 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 ntb082n65s3f.pdf pdf_icon

NTB082N65S3F

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor NTB082N65S3FDESCRIPTIONDrain-source on-resistance: RDS(on) 82m@10VDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Industrial power suppliesUPSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL AR

Другие MOSFET... MDE1932 , MDP10N055 , MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , 7N65 , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E .

History: IRFH6200TRPBF | IXFP72N20X3M | IXFY36N20X3 | FDD13AN06F085 | IRF840LCLPBF | MT7N65-220F | FS16SM-9

 

 
Back to Top

 


 
.