NTP082N65S3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP082N65S3F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de NTP082N65S3F MOSFET
NTP082N65S3F Datasheet (PDF)
ntp082n65s3f.pdf
www.onsemi.comNTP082N65S3FN-Channel SuperFET III FRFET MOSFET 650 V, 40 A, 82 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150 oC SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 70 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
ntp082n65s3f.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor NTP082N65S3FFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesUPSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATI
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History: FDS4935A
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