NTP082N65S3F Todos los transistores

 

NTP082N65S3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP082N65S3F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: TO220

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NTP082N65S3F datasheet

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NTP082N65S3F

www.onsemi.com NTP082N65S3F N-Channel SuperFET III FRFET MOSFET 650 V, 40 A, 82 m Features Description 700 V @ TJ = 150 oC SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 70 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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NTP082N65S3F

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor NTP082N65S3F FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages UPS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , AON7408 , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y .

History: AP9565AGH-HF | AP9412AGM | IRFS244B | 2SK3272-01SJ | AP9561GM-HF | AP85T08GP | CJL2013

 

 

 

 

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