Справочник MOSFET. NTP082N65S3F

 

NTP082N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP082N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NTP082N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  onsemi
 ntp082n65s3f.pdf pdf_icon

NTP082N65S3F

www.onsemi.comNTP082N65S3FN-Channel SuperFET III FRFET MOSFET 650 V, 40 A, 82 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150 oC SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 70 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 ntp082n65s3f.pdf pdf_icon

NTP082N65S3F

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor NTP082N65S3FFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesUPSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , 2N7000 , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y .

History: 2SK1990 | KMD9D0DN30QA | IRF720SPBF | SI2308DS-T1-GE3 | 2SK3225 | IRF8910GPBF | PS0151

 

 
Back to Top

 


 
.