NTP082N65S3F - описание и поиск аналогов

 

NTP082N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTP082N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NTP082N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP082N65S3F даташит

 ..1. Size:836K  onsemi
 ntp082n65s3f.pdf pdf_icon

NTP082N65S3F

www.onsemi.com NTP082N65S3F N-Channel SuperFET III FRFET MOSFET 650 V, 40 A, 82 m Features Description 700 V @ TJ = 150 oC SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 70 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 ntp082n65s3f.pdf pdf_icon

NTP082N65S3F

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor NTP082N65S3F FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages UPS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , AON7408 , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y .

History: 2SK3574-S | 2SK2052 | STF7LN80K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.