NTPF082N65S3F Todos los transistores

 

NTPF082N65S3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTPF082N65S3F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: TO220F

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NTPF082N65S3F datasheet

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NTPF082N65S3F

NTPF082N65S3F MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to m

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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NTPF082N65S3F

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor NTPF082N65S3F FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: AP2301EN-HF | IXFK55N50F | WMM80R1K0S | WMN80R1K5S

 

 

 

 

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