Справочник MOSFET. NTPF082N65S3F

 

NTPF082N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTPF082N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для NTPF082N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTPF082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  onsemi
 ntpf082n65s3f.pdf pdf_icon

NTPF082N65S3F

NTPF082N65S3FMOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, FRFET650 V, 40 A, 82 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to m

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ntpf082n65s3f.pdf pdf_icon

NTPF082N65S3F

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor NTPF082N65S3FFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , IRFP260 , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD .

History: NP100P06PLG | SSF90R240S2

 

 
Back to Top

 


 
.