NTPF082N65S3F - описание и поиск аналогов

 

NTPF082N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTPF082N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для NTPF082N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTPF082N65S3F даташит

 ..1. Size:317K  onsemi
ntpf082n65s3f.pdfpdf_icon

NTPF082N65S3F

NTPF082N65S3F MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to m

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
ntpf082n65s3f.pdfpdf_icon

NTPF082N65S3F

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor NTPF082N65S3F FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , 2SK3878 , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD .

History: ZXMP10A18KTC | AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.