SKS10N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKS10N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SKS10N20 datasheet
sks10n20.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SKS10N20 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Otros transistores... MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , 2N7002 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E .
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