SKS10N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SKS10N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SKS10N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKS10N20 даташит

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
 sks10n20.pdf pdf_icon

SKS10N20

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SKS10N20 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие IGBT... MMF80R450PTH, MMF80R650PTH, MTP2N50, NTB082N65S3F, NTE2393, NTP082N65S3F, NTPF082N65S3F, SIHA11N80E, IRF9540N, STP30NF10FP, SUD25N15-52-E3, SUP70040E, SWHA069R10VS, TK290P60Y, VN88AFD, 2SK3262-01MR, MTY30N50E