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SUD25N15-52-E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD25N15-52-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD25N15-52-E3

 

Principales características: SUD25N15-52-E3

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52-E3 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 C Junction Temperature 100 % Rg and UIS Tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V

 3.1. Size:162K  vishay
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SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

 3.2. Size:192K  inchange semiconductor
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SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V DSS V

 6.1. Size:145K  vishay
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SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

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