SUD25N15-52-E3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUD25N15-52-E3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUD25N15-52-E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD25N15-52-E3 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 sud25n15-52-e3.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52-E3 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 C Junction Temperature 100 % Rg and UIS Tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V

 3.1. Size:162K  vishay
 sud25n15-52.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

 3.2. Size:192K  inchange semiconductor
 sud25n15-52.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V DSS V

 6.1. Size:145K  vishay
 sud25n15.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP2N50, NTB082N65S3F, NTE2393, NTP082N65S3F, NTPF082N65S3F, SIHA11N80E, SKS10N20, STP30NF10FP, IRFP064N, SUP70040E, SWHA069R10VS, TK290P60Y, VN88AFD, 2SK3262-01MR, MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06