SUD25N15-52-E3 - описание и поиск аналогов

 

SUD25N15-52-E3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SUD25N15-52-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SUD25N15-52-E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD25N15-52-E3 технические параметры

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 sud25n15-52-e3.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52-E3 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 C Junction Temperature 100 % Rg and UIS Tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V

 3.1. Size:162K  vishay
 sud25n15-52.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

 3.2. Size:192K  inchange semiconductor
 sud25n15-52.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUD25N15-52 FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION D Primary Side Switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150 V DSS V

 6.1. Size:145K  vishay
 sud25n15.pdf pdf_icon

SUD25N15-52-E3

SUD25N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 25 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 23 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-252 Primary Side Switch D Drain Connec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , IRF4905 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.