MTY30N50E Todos los transistores

 

MTY30N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTY30N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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MTY30N50E Datasheet (PDF)

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MTY30N50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTY30N50E/DDesigner's Data SheetMTY30N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high30 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy500 VOLTSe

 ..2. Size:196K  onsemi
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MTY30N50E

MTY30N50EPreferred DevicePower MOSFET30 Amps, 500 VoltsN-Channel TO-264This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation30 AMPERESmodes. Designed for h

 0.1. Size:237K  motorola
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MTY30N50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTY30N50E/DDesigner's Data SheetMTY30N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high30 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy500 VOLTSe

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History: SRM4N60U | SSG4434N | NDB7060 | TPC6102 | SM8A03NSFP | 2N5654 | MS5N100FT

 

 
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