MTY30N50E Todos los transistores

 

MTY30N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTY30N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO264

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MTY30N50E datasheet

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MTY30N50E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTY30N50E/D Designer's Data Sheet MTY30N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 30 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy 500 VOLTS e

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MTY30N50E

MTY30N50E Preferred Device Power MOSFET 30 Amps, 500 Volts N-Channel TO-264 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading http //onsemi.com performance over time. In addition, this advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation 30 AMPERES modes. Designed for h

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MTY30N50E

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Otros transistores... SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , SPP20N60C3 , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G .

 

 

 


 
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