MTY30N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTY30N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для MTY30N50E
MTY30N50E Datasheet (PDF)
mty30n50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTY30N50E/DDesigner's Data SheetMTY30N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high30 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy500 VOLTSe
mty30n50e.pdf

MTY30N50EPreferred DevicePower MOSFET30 Amps, 500 VoltsN-Channel TO-264This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation30 AMPERESmodes. Designed for h
mty30n50erev2x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTY30N50E/DDesigner's Data SheetMTY30N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high30 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy500 VOLTSe
Другие MOSFET... SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , AON7410 , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G .
History: SFF9140-28 | APT10050B2VFR | IRF7700 | NCEP029N10 | WMO053NV8HGS | HSM4805
History: SFF9140-28 | APT10050B2VFR | IRF7700 | NCEP029N10 | WMO053NV8HGS | HSM4805



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979