CMB80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMB80N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 815 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de CMB80N06 MOSFET
CMB80N06 Datasheet (PDF)
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Product SummeryThe 80N06 is N-ch MOSFETBVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,60V 7.8m 80Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Controlapplications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif
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History: AP18P10GH-HF | SIHA11N80E | FDP032N08B | FDN304P | IXFA10N80P
History: AP18P10GH-HF | SIHA11N80E | FDP032N08B | FDN304P | IXFA10N80P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MDT08N06D | MDP9N20 | MDP5N65 | MDP2N60 | MDP18N20 | MD9N90 | MD40N25 | MD33N25 | MD23N50 | MD20N65 | MD20N60 | K3878 | IRLR024NTR | AO3401S | AO3400S | P80NF70
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