CMB80N06 Todos los transistores

 

CMB80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMB80N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 815 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CMB80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  cmos
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf pdf_icon

CMB80N06

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Product SummeryThe 80N06 is N-ch MOSFETBVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,60V 7.8m 80Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Controlapplications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif

Otros transistores... SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , IRFB3607 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G .

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