CMB80N06 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CMB80N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 815 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CMB80N06
CMB80N06 технические параметры
..1. Size:1054K cmos
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf
CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summery The 80N06 is N-ch MOSFET BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 60V 7.8m 80A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Control applications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif
Другие MOSFET... SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , K4145 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G .
