CMB80N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CMB80N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 815 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CMB80N06
CMB80N06 Datasheet (PDF)
cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf

CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Product SummeryThe 80N06 is N-ch MOSFETBVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,60V 7.8m 80Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the Applications synchronous buck converter Motor Controlapplications. DC-DC converters General Purpose Power Amplif
Другие MOSFET... SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , IRFB3607 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G .
History: RU60101R | VTI630 | WT4410M | NCE65TF360D | IPI086N10N3 | TK150F04K3L | IXFA6N120P
History: RU60101R | VTI630 | WT4410M | NCE65TF360D | IPI086N10N3 | TK150F04K3L | IXFA6N120P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965