BUK437-500A Todos los transistores

 

BUK437-500A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK437-500A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de BUK437-500A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUK437-500A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  philips
buk437-500a b.pdf pdf_icon

BUK437-500A

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 4.1. Size:213K  inchange semiconductor
buk437-500b.pdf pdf_icon

BUK437-500A

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500BFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:53K  philips
buk436w-1000b 1.pdf pdf_icon

BUK437-500A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W(S

 9.2. Size:54K  philips
buk436w-200a-b 1.pdf pdf_icon

BUK437-500A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A(SMPS),

Otros transistores... SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , RFP50N06 , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G .

History: NTMFS5C670NLT3G | NDS335N | 10N80 | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL | SMG5406

 

 
Back to Top

 


 
.