BUK437-500A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK437-500A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BUK437-500A Datasheet (PDF)
buk437-500a b.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
buk437-500b.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500BFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
buk436w-1000b 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W(S
buk436w-200a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A(SMPS),
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FQP20N60 | AP2306CGN-HF | MS85N06 | 2SK2703 | WM02DN560Q | WSD3075DN56 | MDD5N50FRH
History: FQP20N60 | AP2306CGN-HF | MS85N06 | 2SK2703 | WM02DN560Q | WSD3075DN56 | MDD5N50FRH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n