BUK637-400B Todos los transistores

 

BUK637-400B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK637-400B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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BUK637-400B datasheet

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BUK637-400B

 7.1. Size:210K  inchange semiconductor
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BUK637-400B

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500B FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Otros transistores... TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , 12N60 , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G .

 

 

 


 
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