BUK637-400B Todos los transistores

 

BUK637-400B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK637-400B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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BUK637-400B Datasheet (PDF)

1.1. buk637-400b.pdf Size:208K _update-mosfet

BUK637-400B
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1.2. buk637-400b.pdf Size:208K _philips

BUK637-400B
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 3.1. buk637-500b.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

BUK637-400B
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500B ·FEATURES ·With TO-3PN packaging ·High speed switching ·Standard level gate drive ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAM

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