Справочник MOSFET. BUK637-400B

 

BUK637-400B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK637-400B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для BUK637-400B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK637-400B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  philips
 buk637-400b.pdf pdf_icon

BUK637-400B

 7.1. Size:210K  inchange semiconductor
 buk637-500b.pdf pdf_icon

BUK637-400B

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500BFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Другие MOSFET... TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , 4N60 , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G .

History: IRF7821 | GMM3x60-015X2-SMD | STP20N10FI

 

 
Back to Top

 


 
.