BUK637-400B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUK637-400B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK637-400B Datasheet (PDF)
7.1. Size:210K inchange semiconductor
buk637-500b.pdf
buk637-500b.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500BFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Другие MOSFET... TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR , MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , 4N60 , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , NTGS1135PT1G , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G .
