Справочник MOSFET. BUK637-400B

 

BUK637-400B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUK637-400B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 60 ns

Выходная емкость (Cd): 170 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для BUK637-400B

 

 

BUK637-400B Datasheet (PDF)

1.1. buk637-400b.pdf Size:208K _update-mosfet

BUK637-400B
BUK637-400B



3.1. buk637-500b.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

BUK637-400B
BUK637-400B

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500B ·FEATURES ·With TO-3PN packaging ·High speed switching ·Standard level gate drive ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAM

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


BUK637-400B
  BUK637-400B
  BUK637-400B
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top