NTGS1135PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTGS1135PT1G
Código: AA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
NTGS1135PT1G Datasheet (PDF)
ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf

NTGS1135PPower MOSFET-8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management38 mW @ -2.5 V-8 V -4.6 A57 mW @ -1.8 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)300 mW @ -1.2 VParameter
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Liste
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MOSFET: DHFSJ5N65 | DHFSJ17N65 | DHFSJ13N65 | DHFSJ11N65 | DHF9Z24 | DHF90N055R | DHF90N045R | DHF85N08 | DHF8290 | DHF80N08B22 | DHF50N15 | DHF50N06FZC | DHF3N90 | DHF3205A | DHF16N06 | DHF10H037R
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