NTGS1135PT1G Todos los transistores

 

NTGS1135PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTGS1135PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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NTGS1135PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf pdf_icon

NTGS1135PT1G

NTGS1135PPower MOSFET-8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management38 mW @ -2.5 V-8 V -4.6 A57 mW @ -1.8 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)300 mW @ -1.2 VParameter

Otros transistores... MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , IRFB3607 , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G , NTGS3441T1 , NTGS3443BT1G , NTGS3443T1 .

 

 
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