NTGS1135PT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGS1135PT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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NTGS1135PT1G datasheet

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NTGS1135PT1G

NTGS1135P Power MOSFET -8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Rating http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management 38 mW @ -2.5 V -8 V -4.6 A 57 mW @ -1.8 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 300 mW @ -1.2 V Parameter

Otros transistores... MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06, BUK437-500A, BUK637-400B, NTGD4161PT1G, NTGD4169FT1G, IRFB3607, NTGS3130NT1G, NTGS3136PT1G, NTGS3433T1G, NTGS3441BT1G, NTGS3441PT1G, NTGS3441T1, NTGS3443BT1G, NTGS3443T1