NTGS1135PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTGS1135PT1G
   Código: AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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NTGS1135PT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:104K onsemi
ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf

NTGS1135PPower MOSFET-8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management38 mW @ -2.5 V-8 V -4.6 A57 mW @ -1.8 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)300 mW @ -1.2 VParameter

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AOD3N40

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: