Справочник MOSFET. NTGS1135PT1G

 

NTGS1135PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTGS1135PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для NTGS1135PT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS1135PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf pdf_icon

NTGS1135PT1G

NTGS1135PPower MOSFET-8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management38 mW @ -2.5 V-8 V -4.6 A57 mW @ -1.8 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)300 mW @ -1.2 VParameter

Другие MOSFET... MTY30N50E , CMP80N06 , CMB80N06 , CMI80N06 , BUK437-500A , BUK637-400B , NTGD4161PT1G , NTGD4169FT1G , AON7506 , NTGS3130NT1G , NTGS3136PT1G , NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G , NTGS3441T1 , NTGS3443BT1G , NTGS3443T1 .

History: IRF7749L1TRPBF | IRF9530P | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.