NTGS1135PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTGS1135PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTGS1135PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS1135PT1G даташит

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf pdf_icon

NTGS1135PT1G

NTGS1135P Power MOSFET -8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Rating http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management 38 mW @ -2.5 V -8 V -4.6 A 57 mW @ -1.8 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 300 mW @ -1.2 V Parameter

Другие IGBT... MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06, BUK437-500A, BUK637-400B, NTGD4161PT1G, NTGD4169FT1G, IRFB3607, NTGS3130NT1G, NTGS3136PT1G, NTGS3433T1G, NTGS3441BT1G, NTGS3441PT1G, NTGS3441T1, NTGS3443BT1G, NTGS3443T1