Справочник MOSFET. NTGS1135PT1G

 

NTGS1135PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTGS1135PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для NTGS1135PT1G

 

 

NTGS1135PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntgs1135p ntgs1135pt1g.pdf

NTGS1135PT1G NTGS1135PT1G

NTGS1135PPower MOSFET-8 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) 1.2 V RDS(on) Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Load Switch 31 mW @ -4.5 V Battery Management38 mW @ -2.5 V-8 V -4.6 A57 mW @ -1.8 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)300 mW @ -1.2 VParameter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top