NTGS5120PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTGS5120PT1G
   Código: P6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.111 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:106K onsemi
ntgs5120pt1g.pdf

NTGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX High Side Load Switch111 mW @ -10 V Power Switch for Printers, Communication Equipment-60 V -2.9 A142 mW @ -4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C un

5.1. Size:196K onsemi
ntgs5120p nvgs5120p.pdf

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

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History: ATM2302BNSA

Liste

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