Справочник MOSFET. NTGS5120PT1G

 

NTGS5120PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTGS5120PT1G
   Маркировка: P6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для NTGS5120PT1G

 

 

NTGS5120PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  onsemi
 ntgs5120pt1g.pdf

NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G

NTGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX High Side Load Switch111 mW @ -10 V Power Switch for Printers, Communication Equipment-60 V -2.9 A142 mW @ -4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C un

 5.1. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf

NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top