Справочник MOSFET. NTGS5120PT1G

 

NTGS5120PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTGS5120PT1G
   Маркировка: P6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для NTGS5120PT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS5120PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  onsemi
 ntgs5120pt1g.pdf pdf_icon

NTGS5120PT1G

NTGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX High Side Load Switch111 mW @ -10 V Power Switch for Printers, Communication Equipment-60 V -2.9 A142 mW @ -4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C un

 5.1. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NTGS5120PT1G

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

Другие MOSFET... NTGS3441T1 , NTGS3443BT1G , NTGS3443T1 , NTGS3446T1 , NTGS3447PT1G , NTGS3455T1 , NTGS4111PT1 , NTGS4141NT1G , 5N65 , NTHD2110TT1G , NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , NTHD5904NT3 .

History: VQ1000J | HM4444

 

 
Back to Top

 


 
.