NTHD5904NT1 Todos los transistores

 

NTHD5904NT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTHD5904NT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

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NTHD5904NT1 Datasheet (PDF)

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 nthd5904n-d nthd5904nt1 nthd5904nt3.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5904NPower MOSFET20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http://onsemi.comIdeal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal forV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications Where Heat Tra

 7.1. Size:67K  onsemi
 nthd5903t1-d.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5903Power MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETEFeatures Low RDS(on) for Higher Efficiencyhttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V-3.0 A215 mW @ -2.5 VApplications Power Management in Portable and Battery-Pow

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History: 2SK1949L | IRFN150SMD | BUK445-60H | BSC014N06NS | AONS32100 | 2SK448 | RU4099Q

 

 
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