Справочник MOSFET. NTHD5904NT1

 

NTHD5904NT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHD5904NT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD5904NT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  onsemi
 nthd5904n-d nthd5904nt1 nthd5904nt3.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5904NPower MOSFET20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http://onsemi.comIdeal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal forV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications Where Heat Tra

 7.1. Size:67K  onsemi
 nthd5903t1-d.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5903Power MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETEFeatures Low RDS(on) for Higher Efficiencyhttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V-3.0 A215 mW @ -2.5 VApplications Power Management in Portable and Battery-Pow

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SM1A15PSF | KDB3672 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | R6520KNJ | IPSA70R600CE | HAT2071R

 

 
Back to Top

 


 
.