NTHD5904NT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHD5904NT1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHD5904NT1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD5904NT1 даташит

 ..1. Size:65K  onsemi
 nthd5904n-d nthd5904nt1 nthd5904nt3.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5904N Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETt Features Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http //onsemi.com Ideal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal for V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Applications Where Heat Tra

 7.1. Size:67K  onsemi
 nthd5903t1-d.pdf pdf_icon

NTHD5904NT1

NTHD5903 Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETE Features Low RDS(on) for Higher Efficiency http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 130 mW @ -4.5 V -20 V -3.0 A 215 mW @ -2.5 V Applications Power Management in Portable and Battery-Pow

Другие IGBT... NTGS4141NT1G, NTGS5120PT1G, NTHD2110TT1G, NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, 20N50, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1, NTHS2101PT1G, NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G