NTHD5904NT3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTHD5904NT3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.64 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: CHIPFET

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NTHD5904NT3 datasheet

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NTHD5904NT3

NTHD5904N Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETt Features Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http //onsemi.com Ideal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal for V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Applications Where Heat Tra

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NTHD5904NT3

NTHD5903 Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETE Features Low RDS(on) for Higher Efficiency http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 130 mW @ -4.5 V -20 V -3.0 A 215 mW @ -2.5 V Applications Power Management in Portable and Battery-Pow

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