Справочник MOSFET. NTHD5904NT3

 

NTHD5904NT3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTHD5904NT3
   Маркировка: D3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET

 Аналог (замена) для NTHD5904NT3

 

 

NTHD5904NT3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  onsemi
 nthd5904n-d nthd5904nt1 nthd5904nt3.pdf

NTHD5904NT3 NTHD5904NT3

NTHD5904NPower MOSFET20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http://onsemi.comIdeal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal forV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications Where Heat Tra

 7.1. Size:67K  onsemi
 nthd5903t1-d.pdf

NTHD5904NT3 NTHD5904NT3

NTHD5903Power MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETEFeatures Low RDS(on) for Higher Efficiencyhttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V-3.0 A215 mW @ -2.5 VApplications Power Management in Portable and Battery-Pow

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top