Справочник MOSFET. NTHD5904NT3

 

NTHD5904NT3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHD5904NT3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
 

 Аналог (замена) для NTHD5904NT3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD5904NT3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  onsemi
 nthd5904n-d nthd5904nt1 nthd5904nt3.pdf pdf_icon

NTHD5904NT3

NTHD5904NPower MOSFET20 V, 4.5 A, Dual N-Channel, ChipFETtFeatures Low RDS(on) and Fast Switching Speed Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. http://onsemi.comIdeal Device for Applications Where Board Space is at a Premium. ChipFET Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal forV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications Where Heat Tra

 7.1. Size:67K  onsemi
 nthd5903t1-d.pdf pdf_icon

NTHD5904NT3

NTHD5903Power MOSFET-20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFETEFeatures Low RDS(on) for Higher Efficiencyhttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available130 mW @ -4.5 V-20 V-3.0 A215 mW @ -2.5 VApplications Power Management in Portable and Battery-Pow

Другие MOSFET... NTGS5120PT1G , NTHD2110TT1G , NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , CS150N03A8 , NTHS2101PT1 , NTHS2101PT1G , NTHS4101PT1G , NTHS4111PT1G , NTHS4166NT1G , NTHS4501NT1 , NTHS4501NT1G , NTHS5402T1 .

History: SM1F12NSUB | OSG55R380DF | AS3621

 

 
Back to Top

 


 
.