NTHS2101PT1G Todos los transistores

 

NTHS2101PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTHS2101PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET
 

 Búsqueda de reemplazo de NTHS2101PT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTHS2101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  onsemi
 nths2101p-d nths2101pt1 nths2101pt1g.pdf pdf_icon

NTHS2101PT1G

NTHS2101PPower MOSFET -8.0 V, -7.5 A P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS Ultra Low RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Otros transistores... NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , NTHD5904NT3 , NTHS2101PT1 , IRF2807 , NTHS4101PT1G , NTHS4111PT1G , NTHS4166NT1G , NTHS4501NT1 , NTHS4501NT1G , NTHS5402T1 , NTHS5404T1G , NTHS5441PT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.