NTHS2101PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHS2101PT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
Аналог (замена) для NTHS2101PT1G
NTHS2101PT1G Datasheet (PDF)
nths2101p-d nths2101pt1 nths2101pt1g.pdf

NTHS2101PPower MOSFET -8.0 V, -7.5 A P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS Ultra Low RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (
Другие MOSFET... NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , NTHD5904NT3 , NTHS2101PT1 , IRF2807 , NTHS4101PT1G , NTHS4111PT1G , NTHS4166NT1G , NTHS4501NT1 , NTHS4501NT1G , NTHS5402T1 , NTHS5404T1G , NTHS5441PT1G .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet