NTHS2101PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHS2101PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHS2101PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHS2101PT1G даташит

 ..1. Size:54K  onsemi
 nths2101p-d nths2101pt1 nths2101pt1g.pdf pdf_icon

NTHS2101PT1G

NTHS2101P Power MOSFET -8.0 V, -7.5 A P-Channel ChipFETt Features Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package http //onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a Premium V(BR)DSS Ultra Low RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие IGBT... NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, NTHD5904NT1, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1, STF13NM60N, NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G, NTHS5402T1, NTHS5404T1G, NTHS5441PT1G