Справочник MOSFET. NTHS2101PT1G

 

NTHS2101PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTHS2101PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHS2101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  onsemi
 nths2101p-d nths2101pt1 nths2101pt1g.pdf pdf_icon

NTHS2101PT1G

NTHS2101PPower MOSFET -8.0 V, -7.5 A P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS Ultra Low RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN6A11ZTA | AP2306CGN-HF | QM3006N3 | NTD25P03LRLG | SSM3K01F | DH100P70I | SSM6N48FU

 

 
Back to Top

 


 
.