NTJD4105CT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTJD4105CT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 227 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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NTJD4105CT1G datasheet

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NTJD4105CT1G

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device http //onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) 0.29 W @ 4.5 V N-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

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NTJD4105CT1G

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance http //onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available 0.29 W @ 4.5 V N-Ch

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