NTJD4105CT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTJD4105CT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 227 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTJD4105CT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJD4105CT1G даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105CT1G

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device http //onsemi.com Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) 0.29 W @ 4.5 V N-Ch 20 V 0.63 A Pb-Free Package M

 ..2. Size:2805K  cn tech public
 ntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105CT1G

 0.1. Size:2807K  cn tech public
 tpntjd4105ct1g.pdf pdf_icon

NTJD4105CT1G

 5.1. Size:149K  onsemi
 ntjd4105c.pdf pdf_icon

NTJD4105CT1G

NTJD4105C Small Signal MOSFET 20 V / -8.0 V, Complementary, +0.63 A / -0.775 A, SC-88 Features Complementary N and P Channel Device Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance http //onsemi.com ESD Protected Gate - ESD Rating Class 1 SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Pb-Free Packages are Available 0.29 W @ 4.5 V N-Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G, NTHS5402T1, NTHS5404T1G, NTHS5441PT1G, NTHS5441T1G, NTHS5443T1, NTHS5445T1, IRFZ46N, NTJD4152PT1G, NTJD4158CT1G, NTJS3151PT1G, NTJS3151PT2, NTJS3157NT1G, NTJS3157NT2, NTJS3157NT4, NTJS4151PT1