NTK3139PT1G Todos los transistores

 

NTK3139PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTK3139PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723
 

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NTK3139PT1G Datasheet (PDF)

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NTK3139PT1G

NTK3139PPower MOSFET-20 V, -780 mA, Single P-Channel withESD Protection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com P-channel Switch with Low RDS(on) 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating 0.38 W @ -4.5 V -780 mA Operated at Low Logic Level Gate Drive0.52 W @ -2.5 V -660 mA-20 V

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NTK3139PT1G

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NTK3139PT1G

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 ntk3139p.pdf pdf_icon

NTK3139PT1G

NTK3139PMOSFET Power, Single,P-Channel with ESDProtection, SOT-723-20 V, -780 mAwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on)0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-890.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating-20 V0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at

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History: BSC016N06NST | HUFA75645P3 | CED02N6A | IRF3709ZCLPBF | AP85U03GH | HM2314 | P1604ET

 

 
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