NTK3139PT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTK3139PT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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NTK3139PT1G datasheet

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NTK3139PT1G

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NTK3139PT1G

NTK3139P MOSFET Power, Single, P-Channel with ESD Protection, SOT-723 -20 V, -780 mA www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on) 0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 0.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating -20 V 0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at

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