NTK3139PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTK3139PT1G
Маркировка: KD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: SOT-723
Аналог (замена) для NTK3139PT1G
NTK3139PT1G Datasheet (PDF)
ntk3139p-d ntk3139pt1g.pdf
NTK3139PPower MOSFET-20 V, -780 mA, Single P-Channel withESD Protection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com P-channel Switch with Low RDS(on) 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating 0.38 W @ -4.5 V -780 mA Operated at Low Logic Level Gate Drive0.52 W @ -2.5 V -660 mA-20 V
ntk3139p.pdf
NTK3139PMOSFET Power, Single,P-Channel with ESDProtection, SOT-723-20 V, -780 mAwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on)0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-890.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating-20 V0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918