NTK3139PT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTK3139PT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTK3139PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTK3139PT1G даташит

 ..1. Size:59K  onsemi
 ntk3139p-d ntk3139pt1g.pdf pdf_icon

NTK3139PT1G

 0.1. Size:1967K  cn tech public
 tpntk3139pt1g.pdf pdf_icon

NTK3139PT1G

 5.1. Size:1861K  cn tech public
 pntk3139pt5g.pdf pdf_icon

NTK3139PT1G

 6.1. Size:129K  onsemi
 ntk3139p.pdf pdf_icon

NTK3139PT1G

NTK3139P MOSFET Power, Single, P-Channel with ESD Protection, SOT-723 -20 V, -780 mA www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max P-channel Switch with Low RDS(on) 0.38 W @ -4.5 V -780 mA 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC-89 0.52 W @ -2.5 V -660 mA Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating -20 V 0.70 W @ -1.8 V -100 mA Operated at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTJS4151PT1, NTJS4151PT1G, NTJS4160NT1G, NTJS4405NT1, NTJS4405NT4, NTK3043NAT5G, NTK3043NT1G, NTK3134NT1G, IRFZ44N, NTK3142PT1G, NTLGF3402PT1G, NTLGF3501NT2G, NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTBG, NTLJD3182FZTAG, NTLJD3182FZTBG, NTLJF3117PT1G