NTLLD4901NF Todos los transistores

 

NTLLD4901NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLLD4901NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN8
 

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NTLLD4901NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  onsemi
 ntlld4901nf.pdf pdf_icon

NTLLD4901NF

NTLLD4901NFDual N-Channel PowerMOSFET with IntegratedSchottky30 V, High Side 11 A / Low Side 13 A,http://onsemi.comDual N-Channel, WDFN (3 mm x 3 mm)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXFeatures17.4 mW @ 10 VQ1 Top FET Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space11 A30 V25 mW @ 4.5 V Low Side MOSFET with Integrated Schottky13.3 mW @ 10 V Minimized Pa

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History: GSM8411 | P0908ATF | CEU16N10 | SIHF740LC | SPC65R90G | MIC94052 | HM7002JR

 

 
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