NTLLD4901NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTLLD4901NF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTLLD4901NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLLD4901NF даташит

 ..1. Size:136K  onsemi
 ntlld4901nf.pdf pdf_icon

NTLLD4901NF

NTLLD4901NF Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 30 V, High Side 11 A / Low Side 13 A, http //onsemi.com Dual N-Channel, WDFN (3 mm x 3 mm) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Features 17.4 mW @ 10 V Q1 Top FET Co-Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space 11 A 30 V 25 mW @ 4.5 V Low Side MOSFET with Integrated Schottky 13.3 mW @ 10 V Minimized Pa

Другие IGBT... NTLJS2103PTBG, NTLJS3113PT1G, NTLJS3113PTAG, NTLJS3180PZTBG, NTLJS3A18PZ, NTLJS4114NT1G, NTLJS4149PTAG, NTLJS4159NT1G, 8205A, NTLUD3A260PZTAG, NTLUD3A260PZTBG, NTLUD3A50PZ, NTLUD4C26N, NTLUF4189NZTAG, NTLUS3A18PZ, NTLUS3A18PZTAG, NTLUS3A18PZTBG