NTMS7N03R2G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMS7N03R2G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NTMS7N03R2G datasheet

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NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8 Features Ultra Low RDS(on) www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life 7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package 30 VOLTS Avalanche Energy Specified RDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free Device N-Channel D Typical A

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NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts N-Channel SOIC-8 Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life 7 AMPERES Logic Level Gate Drive 30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package RDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated Temperature N-Channel Pb-Free Package is Available D Typ

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