NTMS7N03R2G Todos los transistores

 

NTMS7N03R2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMS7N03R2G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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NTMS7N03R2G Datasheet (PDF)

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NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2GPower MOSFET7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8Features Ultra Low RDS(on)www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package30 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free DeviceN-ChannelDTypical A

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NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2Power MOSFET7 Amps, 30 VoltsN-Channel SOIC-8Featureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life7 AMPERES Logic Level Gate Drive30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount PackageRDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated TemperatureN-Channel Pb-Free Package is AvailableDTyp

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History: SQJ992EP | 5N65KG-TND-R

 

 
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