NTMS7N03R2G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTMS7N03R2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для NTMS7N03R2G
NTMS7N03R2G Datasheet (PDF)
ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2G Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts, N-Channel SOIC-8 Features Ultra Low RDS(on) www.onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life 7 AMPERES Logic Level Gate Drive Miniature SOIC-8 Surface Mount Package 30 VOLTS Avalanche Energy Specified RDS(on) = 23 mW IDSS Specified at Elevated Temperature This is a Pb-Free Device N-Channel D Typical A
ntms7n03r2 ntms7n03r2g.pdf
NTMS7N03R2 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts N-Channel SOIC-8 Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life 7 AMPERES Logic Level Gate Drive 30 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package RDS(on) = 23 mW Avalanche Energy Specified IDSS Specified at Elevated Temperature N-Channel Pb-Free Package is Available D Typ
Другие MOSFET... NTMS4937NR2G , NTMS4939NR2G , NTMS4N01R2G , NTMS4P01R2 , NTMS5835NLR2G , NTMS5838NLR2G , NTMS5P02R2G , NTMS5P02R2SG , P60NF06 , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906



