NTNUS3171PZT5G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTNUS3171PZT5G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SOT-1123

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NTNUS3171PZT5G datasheet

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NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

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NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

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