NTNUS3171PZT5G Todos los transistores

 

NTNUS3171PZT5G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTNUS3171PZT5G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-1123

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTNUS3171PZT5G

 

NTNUS3171PZT5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 ntnus3171pzt5g.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

 3.1. Size:95K  onsemi
 ntnus3171pz.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

Otros transistores... NTMS7N03R2G , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , IRFZ46N , NTP125N02RG , NTP13N10 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L .

 

 
Back to Top

 


 
.