Справочник MOSFET. NTNUS3171PZT5G

 

NTNUS3171PZT5G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTNUS3171PZT5G
   Маркировка: 5M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-1123

 Аналог (замена) для NTNUS3171PZT5G

 

 

NTNUS3171PZT5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 ntnus3171pzt5g.pdf

NTNUS3171PZT5G NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

 3.1. Size:95K  onsemi
 ntnus3171pz.pdf

NTNUS3171PZT5G NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top