Справочник MOSFET. NTNUS3171PZT5G

 

NTNUS3171PZT5G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTNUS3171PZT5G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-1123
 

 Аналог (замена) для NTNUS3171PZT5G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTNUS3171PZT5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 ntnus3171pzt5g.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

 3.1. Size:95K  onsemi
 ntnus3171pz.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZT5G

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

Другие MOSFET... NTMS7N03R2G , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , STP65NF06 , NTP125N02RG , NTP13N10 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L .

History: NCEP095N10AG | MTBA6C15Q8 | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.