NTP125N02RG Todos los transistores

 

NTP125N02RG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP125N02RG
   Código: 125N2RG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP125N02RG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  onsemi
 ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf pdf_icon

NTP125N02RG

NTB125N02R, NTP125N02RPower MOSFET125 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch

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History: IRF7304Q

 

 
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