NTP125N02RG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP125N02RG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для NTP125N02RG
NTP125N02RG Datasheet (PDF)
ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf

NTB125N02R, NTP125N02RPower MOSFET125 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch
Другие MOSFET... NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G , IRF1405 , NTP13N10 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L , NTP2955G .
History: MSW11N90 | SIZ702DT | IPN70R1K4P7S
History: MSW11N90 | SIZ702DT | IPN70R1K4P7S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor