NTP125N02RG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP125N02RG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP125N02RG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP125N02RG даташит

 ..1. Size:84K  onsemi
 ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf pdf_icon

NTP125N02RG

NTB125N02R, NTP125N02R Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver Loss RDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch

Другие IGBT... NTMSD2P102LR2, NTMSD3P102R2, NTMSD6N303R2, NTNS3164NZ, NTNS3193NZ, NTNS3A65PZ, NTNS3A91PZ, NTNUS3171PZT5G, IRF830, NTP13N10, NTP18N06, NTP18N06L, NTP22N06, NTP22N06L, NTP27N06, NTP27N06L, NTP2955G