NTP13N10 Todos los transistores

 

NTP13N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP13N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP13N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  onsemi
 ntp13n10-d ntp13n10.pdf pdf_icon

NTP13N10

NTP13N10Preferred DevicePower MOSFET13 A, 100 V, N-ChannelEnhancement-Mode TO-220Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discretehttp://onsemi.comFast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedVDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is AvailableTypical Applicat

Otros transistores... NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G , NTP125N02RG , 60N06 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L , NTP2955G , NTP30N06 .

History: FQB10N50CFTM | AUIRF1010Z | SRT10N230HD56 | SIRA84DP | SRT10N047HS2 | IRFPS38N60LPBF | FDU7N60NZTU

 

 
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