Справочник MOSFET. NTP13N10

 

NTP13N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTP13N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для NTP13N10

 

 

NTP13N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  onsemi
 ntp13n10-d ntp13n10.pdf

NTP13N10 NTP13N10

NTP13N10Preferred DevicePower MOSFET13 A, 100 V, N-ChannelEnhancement-Mode TO-220Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discretehttp://onsemi.comFast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedVDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is AvailableTypical Applicat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top