NTP13N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP13N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP13N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP13N10 даташит

 ..1. Size:205K  onsemi
 ntp13n10-d ntp13n10.pdf pdf_icon

NTP13N10

NTP13N10 Preferred Device Power MOSFET 13 A, 100 V, N-Channel Enhancement-Mode TO-220 Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete http //onsemi.com Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified VDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature 100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is Available Typical Applicat

Другие IGBT... NTMSD3P102R2, NTMSD6N303R2, NTNS3164NZ, NTNS3193NZ, NTNS3A65PZ, NTNS3A91PZ, NTNUS3171PZT5G, NTP125N02RG, IRLB3034, NTP18N06, NTP18N06L, NTP22N06, NTP22N06L, NTP27N06, NTP27N06L, NTP2955G, NTP30N06