NTP13N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTP13N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
Тип корпуса: TO-220
NTP13N10 Datasheet (PDF)
ntp13n10-d ntp13n10.pdf
NTP13N10 Preferred Device Power MOSFET 13 A, 100 V, N-Channel Enhancement-Mode TO-220 Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete http //onsemi.com Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified VDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature 100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is Available Typical Applicat
Другие MOSFET... NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G , NTP125N02RG , IRLB3034 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L , NTP2955G , NTP30N06 .
History: DMG7410SFG | DMG7430LFG
History: DMG7410SFG | DMG7430LFG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement


