Справочник MOSFET. NTP13N10

 

NTP13N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP13N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP13N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  onsemi
 ntp13n10-d ntp13n10.pdf pdf_icon

NTP13N10

NTP13N10Preferred DevicePower MOSFET13 A, 100 V, N-ChannelEnhancement-Mode TO-220Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discretehttp://onsemi.comFast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedVDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is AvailableTypical Applicat

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.