NTP13N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

NTP13N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTP13N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP13N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP13N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  onsemi
 ntp13n10-d ntp13n10.pdf pdf_icon

NTP13N10

NTP13N10Preferred DevicePower MOSFET13 A, 100 V, N-ChannelEnhancement-Mode TO-220Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discretehttp://onsemi.comFast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedVDSS RDS(ON) TYP ID MAX IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature100 V 165 m @ 10 V 13 A Pb-Free Package is AvailableTypical Applicat

Другие MOSFET... NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G , NTP125N02RG , 60N06 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L , NTP2955G , NTP30N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.