NTP52N10 Todos los transistores

 

NTP52N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP52N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP52N10

 

NTP52N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  onsemi
ntp52n10.pdf pdf_icon

NTP52N10

NTP52N10 Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete 60 AMPERES Fast Recovery Diode 100 VOLTS Avalanche Energy Specified 30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D Applications PWM

Otros transistores... NTP2955G , NTP30N06 , NTP30N06L , NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , IRF3205 , NTP5404NRG , NTP5411NG , NTP5412NG , NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 .

 

 
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