NTP52N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP52N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP52N10
NTP52N10 Datasheet (PDF)
ntp52n10.pdf
NTP52N10Power MOSFET60 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement Mode TO-220http://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete60 AMPERESFast Recovery Diode100 VOLTS Avalanche Energy Specified30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available*N-ChannelDApplications PWM
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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