NTP52N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP52N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP52N10
NTP52N10 Datasheet (PDF)
ntp52n10.pdf
NTP52N10 Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete 60 AMPERES Fast Recovery Diode 100 VOLTS Avalanche Energy Specified 30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D Applications PWM
Otros transistores... NTP2955G , NTP30N06 , NTP30N06L , NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , IRF3205 , NTP5404NRG , NTP5411NG , NTP5412NG , NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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