NTP52N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP52N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 95 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP52N10
NTP52N10 Datasheet (PDF)
ntp52n10.pdf
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NTP52N10Power MOSFET60 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement Mode TO-220http://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete60 AMPERESFast Recovery Diode100 VOLTS Avalanche Energy Specified30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available*N-ChannelDApplications PWM
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: NTP6412ANG