NTP52N10 Todos los transistores

 

NTP52N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP52N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP52N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  onsemi
 ntp52n10.pdf pdf_icon

NTP52N10

NTP52N10Power MOSFET60 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement Mode TO-220http://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete60 AMPERESFast Recovery Diode100 VOLTS Avalanche Energy Specified30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available*N-ChannelDApplications PWM

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