NTP52N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP52N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP52N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP52N10 даташит

 ..1. Size:159K  onsemi
 ntp52n10.pdf pdf_icon

NTP52N10

NTP52N10 Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete 60 AMPERES Fast Recovery Diode 100 VOLTS Avalanche Energy Specified 30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D Applications PWM

Другие IGBT... NTP2955G, NTP30N06, NTP30N06L, NTP30N20G, NTP35N15G, NTP4302, NTP45N06, NTP45N06L, IRF3205, NTP5404NRG, NTP5411NG, NTP5412NG, NTP5426NG, NTP5860N, NTP5863NG, NTP5864NG, NTP60N06