Справочник MOSFET. NTP52N10

 

NTP52N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP52N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP52N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP52N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  onsemi
 ntp52n10.pdf pdf_icon

NTP52N10

NTP52N10Power MOSFET60 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement Mode TO-220http://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete60 AMPERESFast Recovery Diode100 VOLTS Avalanche Energy Specified30 mW @ VGS = 10 V IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available*N-ChannelDApplications PWM

Другие MOSFET... NTP2955G , NTP30N06 , NTP30N06L , NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , IRF3205 , NTP5404NRG , NTP5411NG , NTP5412NG , NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.