NTP8G202N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP8G202N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 18 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.6 V
Carga de la puerta (Qg): 6.2 nC
Tiempo de subida (tr): 4.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 26 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP8G202N
NTP8G202N Datasheet (PDF)
ntp8g202n.pdf
NTP8G202NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 290 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 290 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta
ntp8g206n.pdf
NTP8G206NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 150 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 150 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
