NTP8G202N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTP8G202N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP8G202N

NTP8G202N Datasheet (PDF)

..1. Size:104K onsemi
ntp8g202n.pdf

NTP8G202NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 290 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 290 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

7.1. Size:102K onsemi
ntp8g206n.pdf

NTP8G206NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 150 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 150 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JMSL0302AU | IRFS5615

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: