NTP8G202N Todos los transistores

 

NTP8G202N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP8G202N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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NTP8G202N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntp8g202n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G202NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 290 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 290 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

 7.1. Size:102K  onsemi
 ntp8g206n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G206NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 150 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 150 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

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History: HY050N08C2 | IXFE24N100 | STW36NM60ND | SRM10N60TF | RU30231R | AP80T10AGP-HF | MSAER38N10A

 

 
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