NTP8G202N - описание и поиск аналогов

 

NTP8G202N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTP8G202N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP8G202N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP8G202N технические параметры

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntp8g202n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G202N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 290 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta

 7.1. Size:102K  onsemi
 ntp8g206n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G206N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 150 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 150 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta

Другие MOSFET... NTP6413ANG , NTP65N02R , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , 2N7000 , NTP8G206N , NTP90N02 , NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G .

History: RUH30120M-C | RU7080R | RU75N08L | NDD60N550U1

 

 
Back to Top

 


 
.