NTP8G202N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP8G202N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP8G202N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP8G202N даташит

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntp8g202n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G202N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 290 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta

 7.1. Size:102K  onsemi
 ntp8g206n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G206N Power GaN Cascode Transistor 600 V, 150 mW Features Fast Switching Extremely Low Qrr www.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) TYP Compliant 600 V 150 mW @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Volta

Другие IGBT... NTP6413ANG, NTP65N02R, NTP75N03-6G, NTP75N03L09, NTP75N03R, NTP75N06, NTP75N06L, NTP85N03, IRFB4227, NTP8G206N, NTP90N02, NTQS6463R2, NTR0202PLT1, NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G