Справочник MOSFET. NTP8G202N

 

NTP8G202N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP8G202N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NTP8G202N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP8G202N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 ntp8g202n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G202NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 290 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 290 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

 7.1. Size:102K  onsemi
 ntp8g206n.pdf pdf_icon

NTP8G202N

NTP8G206NPower GaN CascodeTransistor 600 V, 150 mWFeatures Fast Switching Extremely Low Qrrwww.onsemi.com Transphorm Inside These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) TYPCompliant600 V 150 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Volta

Другие MOSFET... NTP6413ANG , NTP65N02R , NTP75N03-6G , NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , IRF9540 , NTP8G206N , NTP90N02 , NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G .

History: SFD070N60C2 | PN5433 | TMD830 | IRF7379QPBF | IRC630PBF | IRF7380 | IPP16CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.