NTQS6463R2 Todos los transistores

 

NTQS6463R2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTQS6463R2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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Principales características: NTQS6463R2

 ..1. Size:66K  onsemi
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NTQS6463R2

NTQS6463 Power MOSFET -20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8 Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery VDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified -20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

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