NTQS6463R2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTQS6463R2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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NTQS6463R2 datasheet

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NTQS6463R2

NTQS6463 Power MOSFET -20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8 Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery VDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified -20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

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