NTQS6463R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTQS6463R2
Маркировка: 463
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.93 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для NTQS6463R2
NTQS6463R2 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K onsemi
ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf
ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf
NTQS6463Power MOSFET-20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryVDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified-20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
