NTQS6463R2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTQS6463R2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTQS6463R2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTQS6463R2 даташит

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf pdf_icon

NTQS6463R2

NTQS6463 Power MOSFET -20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8 Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery VDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified -20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

Другие IGBT... NTP75N03L09, NTP75N03R, NTP75N06, NTP75N06L, NTP85N03, NTP8G202N, NTP8G206N, NTP90N02, 7N65, NTR0202PLT1, NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ