NTQS6463R2 - описание и поиск аналогов

 

NTQS6463R2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTQS6463R2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для NTQS6463R2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTQS6463R2 технические параметры

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf pdf_icon

NTQS6463R2

NTQS6463 Power MOSFET -20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8 Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery VDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified -20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

Другие MOSFET... NTP75N03L09 , NTP75N03R , NTP75N06 , NTP75N06L , NTP85N03 , NTP8G202N , NTP8G206N , NTP90N02 , 7N65 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G , NTR3162PT1G , NTR3A30PZ .

 

 
Back to Top

 


 
.