Справочник MOSFET. NTQS6463R2

 

NTQS6463R2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTQS6463R2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTQS6463R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf pdf_icon

NTQS6463R2

NTQS6463Power MOSFET-20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryVDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified-20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.