Справочник MOSFET. NTQS6463R2

 

NTQS6463R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTQS6463R2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для NTQS6463R2

 

 

NTQS6463R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntqs6463-d ntqs6463r2.pdf

NTQS6463R2 NTQS6463R2

NTQS6463Power MOSFET-20 V, -6.8 A, P-Channel TSSOP-8Features New Low Profile TSSOP-8 Package Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryVDSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified-20 V 20 mW @ -10 V -6.8 A IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Tem

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top