NTR3A30PZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTR3A30PZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 208 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NTR3A30PZ datasheet

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NTR3A30PZ

NTR3A30PZ Power MOSFET -20 V, -5.5 A, Single P-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT-23 Package Features Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Package http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Applications 38 mW @ -4.5 V High Side Load Switch -20 V 50 mW @ -2.5 V -5.5 A

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NTR3A30PZ

NTR3A052PZ MOSFET Power, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, -3.6 A Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Compliant Applications 47 mW @ -4.5 V Power Load Switch -20 V 63 mW @ -2.5 V -3.6 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

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