NTR3A30PZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTR3A30PZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 208 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTR3A30PZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR3A30PZ даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntr3a30pz.pdf pdf_icon

NTR3A30PZ

NTR3A30PZ Power MOSFET -20 V, -5.5 A, Single P-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT-23 Package Features Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Package http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Applications 38 mW @ -4.5 V High Side Load Switch -20 V 50 mW @ -2.5 V -5.5 A

 9.1. Size:127K  onsemi
 ntr3a052pz.pdf pdf_icon

NTR3A30PZ

NTR3A052PZ MOSFET Power, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, -3.6 A Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Compliant Applications 47 mW @ -4.5 V Power Load Switch -20 V 63 mW @ -2.5 V -3.6 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

Другие IGBT... NTQS6463R2, NTR0202PLT1, NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, IRF1010E, NTR4003NT1G, NTR4101PT1G, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, NTR4501NT1, NTR4502PT1, NTR4503NT1, NTR5103N