Справочник MOSFET. NTR3A30PZ

 

NTR3A30PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTR3A30PZ
   Маркировка: TRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 208 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для NTR3A30PZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR3A30PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntr3a30pz.pdf pdf_icon

NTR3A30PZ

NTR3A30PZPower MOSFET-20 V, -5.5 A, Single P-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT-23 PackageFeatures Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Packagehttp://onsemi.com ESD Diode-Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) Max ID MAXApplications38 mW @ -4.5 V High Side Load Switch-20 V 50 mW @ -2.5 V -5.5 A

 9.1. Size:127K  onsemi
 ntr3a052pz.pdf pdf_icon

NTR3A30PZ

NTR3A052PZMOSFET Power, SingleP-Channel, SOT-23-20 V, -3.6 AFeatures Leading -20 V Trench for Low RDS(on)www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) Max ID MAXCompliantApplications47 mW @ -4.5 V Power Load Switch-20 V 63 mW @ -2.5 V -3.6 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 2

Другие MOSFET... NTQS6463R2 , NTR0202PLT1 , NTR1P02L , NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G , NTR3162PT1G , IRF1010E , NTR4003NT1G , NTR4101PT1G , NTR4170NT1G , NTR4171PT1G , NTR4501NT1 , NTR4502PT1 , NTR4503NT1 , NTR5103N .

History: IRFR4104 | IRF9393

 

 
Back to Top

 


 
.