NTTD4401FR2 Todos los transistores

 

NTTD4401FR2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTTD4401FR2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8
 

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NTTD4401FR2 datasheet

 ..1. Size:92K  onsemi
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NTTD4401FR2

NTTD4401F FETKYt Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V, 1.0 A Schottky Diode, Micro8t Package http //onsemi.com The FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic level MOSFET PRODUCT SUMMARY MOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) Typ ID

Otros transistores... NTR5198NL , NTRV4101P , NTS2101PT1 , NTS4001NT1 , NTS4101PT1 , NTS4172NT1G , NTS4173PT1G , NTS4409N , CS150N03A8 , NTTFS3A08PZ , NTTFS3A08PZTAG , NTTFS4821NTAG , NTTFS4823NTAG , NTTFS4824NTAG , NTTFS4928NTAG , NTTFS4929NTAG , NTTFS4930NTAG .

History: AGM30P25MBP | 2SJ518 | 2N4221 | 2SK1522 | 2SJ532 | 2SJ424

 

 
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