NTTD4401FR2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTTD4401FR2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: MICRO8

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NTTD4401FR2 datasheet

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NTTD4401FR2

NTTD4401F FETKYt Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.3 A P-Channel with 20 V, 1.0 A Schottky Diode, Micro8t Package http //onsemi.com The FETKY product family incorporates low RDS(on), true logic level MOSFET PRODUCT SUMMARY MOSFETs packaged with industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier Diodes to offer high efficiency components in V(BR)DSS RDS(on) Typ ID

Otros transistores... NTR5198NL, NTRV4101P, NTS2101PT1, NTS4001NT1, NTS4101PT1, NTS4172NT1G, NTS4173PT1G, NTS4409N, 4435, NTTFS3A08PZ, NTTFS3A08PZTAG, NTTFS4821NTAG, NTTFS4823NTAG, NTTFS4824NTAG, NTTFS4928NTAG, NTTFS4929NTAG, NTTFS4930NTAG